Микросхема 129НТ1В-1 со склада в Москве
Микросхема 129НТ1В-1
является дифференциальной парой и включает в себя два согласованных по характеристикам npn транзистора. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, в том числе и на высоких частотах. Наиболее типичное применение такие пары транзисторов находят во входных цепях операционных усилителей. Дифференциальные пары серии 1129 отличаются повышенной радиационной стойкостью.
Важнейшие характеристики:
• Малый ток утечки между транзисторами (10 нА)
• Большой выбор статических коэффициентов передачи тока
• Малые отличия статических коэффициентов передачи тока (отношение не менее 0.9)
• Малая разность напряжений эмиттер-база (не более 3 мВ)
Подробные характеристики:
Обратный ток коллектора, nA 20
Обратный ток эмиттера, nA 50
Ток колл.- эмитт. закрытого транзистора, nA 50
Ток утечки между транзисторами, nA 10
Стат. коэфф. прямой передачи тока >80 Отношение стат. коэфф. прямой передачи тока 0.92
Модуль коэфицента передачи тока, (f=100 mHz) 4.5
Модуль разности напряжений эмиттер-база, mV 3
Ёмкость коллекторного перехода, pF 3
Ёмкость эмиттерного перехода, pF 4
Тип корпуса —
Технические условия ХМЗ.456.013ТУ
Аналог SA2713
Посмотреть характеристики 129НТ1В-1 в PDF-формате
Цена 129НТ1В-1 в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить 129НТ1В-1 по телефону: +7 (495) 123-35-10
