2П303Е (Ni)

Склад
1 руб.
Остаток на складе 20шт.

Транзистор 2П303Е (Ni) со склада в Москве

Транзисторы 2П303Е (Ni) кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303Е (Ni), 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Е (Ni) в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П303Е (Ni):

• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 0,5… 3 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач — Начальный ток стока: не более 2 мА;
• Iс ост — Остаточный ток стока: 0,5…3 мА;
• S — Крутизна характеристики: 1… 4 мА/В;
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

Посмотреть характеристики 2П303Е (Ni) в PDF-формате

Цена транзистора 2П303Е (Ni) в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2П303Е (Ni) по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2П303Е (Ni)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *