2Д503Б

Склад
1 руб.
Остаток на складе 13406шт.

Диоды 2Д503Б со склада в Москве

Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд – Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд – Общая емкость: 5 пФ

Посмотреть характеристики 2Д503Б в PDF-формате

Цена микросхемы 2Д503Б в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить микросхему 2Д503Б по телефону: +7 (495) 123-35-10

2Д503Б

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *