2Д2997Б

Склад
1 руб.
Остаток на складе 32шт.

Диоды 2Д2997Б со склада в Москве

Диоды 2Д2997Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2997Б:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 290 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max – Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд – Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

Посмотреть характеристики 2Д2997Б в PDF-формате

Цена микросхемы 2Д2997Б в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить микросхему 2Д2997Б по телефону: +7 (495) 123-35-10

2Д2997Б

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *