2Т208И ОС

Склад
1 руб.
Остаток на складе 5шт.

Транзисторы 2Т208И ОС со склада в Москве

ВРЕМЕННО НЕТ В НАЛИЧИИ
Транзисторы 2Т208И ОС кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т208И ОС:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max – Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В);
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20… 240;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом

Посмотреть характеристики 2Т208И ОС в PDF-формате

Цена транзистора 2Т208И ОС в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т208И ОС по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т208И ОС

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *