2Т306Г

Склад
1 руб.
Остаток на складе 1шт.

Транзисторы 2Т306Г со склада в Москве

Транзисторы 2Т306Г кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: ЩБ3.365.007 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т306Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц;
• Uкбо max – Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 10… 32;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом

Посмотреть характеристики 2Т306Г в PDF-формате

Цена транзистора 2Т306Г в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т306Г по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т306Г

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *