2Т3117А

Склад
1 руб.
Остаток на складе 9641шт.

Транзисторы 2Т3117А со склада в Москве

Транзисторы 2Т3117А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.256 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3117А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max – Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (60В);
h21Э – Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…200;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Посмотреть характеристики 2Т3117А в PDF-формате

Цена транзистора 2Т3117А в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т3117А по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т3117А

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *