2Т312А (Ni)

Склад
1 руб.
Остаток на складе 1шт.

Транзисторы 2Т312А (Ni) со склада в Москве

Транзисторы 2Т312А (Ni) кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: ЖК3.365.143 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т312А (Ni):
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 80 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 12…100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Посмотреть характеристики 2Т312А (Ni) в PDF-формате

Цена транзистора 2Т312А (Ni) в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т312А (Ni) по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т312А (Ni)

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *