2Т3130В9

Склад
1 руб.
Остаток на складе 1шт.

Транзисторы 2Т3130В9 со склада в Москве

Транзисторы 2Т3130В-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130А-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 100… 250;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц

Посмотреть характеристики 2Т3130В9 в PDF-формате

Цена транзистора 2Т3130В9 в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т3130В9 по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т3130В9

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *