2Т313Б

Склад
1 руб.
Остаток на складе 287шт.

Транзисторы 2Т313Б со склада в Москве

Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩЫ0.336.049 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т313Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max – Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max – Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max – Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо – Обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э – Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80… 300;
• Ск – Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом

Посмотреть характеристики 2Т313Б в PDF-формате

Цена транзистора 2Т313Б в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т313Б по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т313Б

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *