2Т364В-2Н

Склад
1 руб.
Остаток на складе 4шт.

Транзисторы 2Т364В-2Н со склада в Москве

Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора в не более 0,5 г,
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ0.336.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т364В-2Н:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…120;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс

Посмотреть характеристики 2Т364В-2Н в PDF-формате

Цена транзистора 2Т364В-2Н в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т364В-2Н по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т364В-2Н

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *