2Т325Б

Склад
1 руб.
Остаток на складе 20шт.

Транзисторы 2Т325Б со склада в Москве

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,2 г.
Тип корпуса: КТ-2-3.
Технические условия: СБ0.336.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т325Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30… 90;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ;

Посмотреть характеристики 2Т325Б в PDF-формате

Цена транзистора 2Т325Б в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т325Б по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т325Б

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *