Заявка по радиодеталям

Поиск по каталогу радиодеталей:

Наши контакты:

Адрес: 117437, г. Москва, ул. Профсоюзная, д.108
Телефон: +7(495)123-35-10
Факс: +7(495)122-00-19
Email: info@solit.su

2Т809А ОС

1 руб.
Остаток на складе 1шт.

Транзисторы 2Т809А ОС со склада в Москве


Транзисторы 2Т809А ОС кремниевые мезапланарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г, с накидным фланцем - не более 34 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ГЕ3.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т809А ОС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (70В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Посмотреть характеристики 2Т809А ОС в PDF-формате

Цена транзистора 2Т809А ОС в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т809А ОС по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т809А ОС