2Т930Б

Склад
1 руб.
Остаток на складе 71шт.

Транзисторы 2Т930Б со склада в Москве

Транзисторы 2Т930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 7 г.
Тип корпуса: КТ-32.
Технические условия: аА0.339.036 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т930Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс

Посмотреть характеристики 2Т930Б в PDF-формате

Цена транзистора 2Т930Б в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить транзистор 2Т930Б по телефону: +7 (495) 123-35-10

Транзистор 2Т930Б

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *