Диоды 2Д251Е со склада в Москве
Диоды 2Д251Е кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10…200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д251Е:
• Uoбp и max — Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max — Максимальный прямой ток: 1 А;
• Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 1 А;
• Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр — Время обратного восстановления: 50 нс
Посмотреть характеристики 2Д251Е в PDF-формате
Цена микросхемы 2Д251Е в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить микросхему 2Д251Е по телефону: +7 (495) 123-35-10
