2Д251В

Склад
1 руб.
Остаток на складе 70шт.

Диоды 2Д251В со склада в Москве

Диоды 2Д251В кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10…200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д251В:

• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 1 А;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 1 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: 50 нс

Посмотреть характеристики 2Д251В в PDF-формате

Цена микросхемы 2Д251В в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить микросхему 2Д251В по телефону: +7 (495) 123-35-10

2Д251В

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *