Диоды 2Д503Б ОСМ со склада в Москве
Диоды 2Д503Б ОСМ кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д503Б ОСМ:
• Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max — Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд — Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр — Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд — Общая емкость: 5 пФ
Посмотреть характеристики 2Д503Б ОСМ в PDF-формате
Цена микросхемы 2Д503Б ОСМ в ближайшее время появится на сайте, приносим вам свои извинения за предоставленные неудобства.
На данный момент вы можете купить микросхему 2Д503Б ОСМ по телефону: +7 (495) 123-35-10
